中微渝芯请求集成高侧MOS内阻功率模块三相电流采样电路专利节约电阻损耗

  金融界2024年12月23日音讯，国家知识产权局信息数据显现，中微渝芯（重庆）电子科技有限公司请求一项名为“一种集成高侧MOS内阻功率模块三相电流采样电路”的专利，公开号CN 119154756 A，请求日期为2024年9月。

  专利摘要显现，本发明公开了一种集成高侧MOS内阻功率模块三相电流采样电路，该电路包含：集成高侧采样运放+LDO+电源电压采样的微操控单元U1，集成高侧MOS内阻采样的功率晶体管Q1/Q2/Q3。该电路节约三电阻采样需求的外置3个采样电阻，节约电阻损耗，简化电路，节约本钱，添加可靠性。比较传统MOS内阻采样电路，功率模块集成预驱，集成高侧采样高共模电压差分运放。优势一，不会发生接地搅扰；优势二，能够检测电机绕组对地短路。本发明中MCU集成LDO，集成高侧母线电流采样运放，能够采样到高侧母线电流，降低了故障率。